选择多晶硅的另一个原因是MOS晶体管的阈值电压与栅极和沟道之间的功函数差异相关。此前，当工作电压在3~5V范围内时，使用金属栅极。但是，随着晶体管的缩小，这确保了器件的工作电压也降低了。具有这种高阈值电压的晶体管在这种条件下变得不可操作。
2019-08-31 11:40
FinFET称为鳍式场效晶体管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一种新的互补式金氧半导体（CMOS）晶体管。
2017-02-04 10:30
在2011年初，英特尔公司推出了商业化的FinFET，使用在其22纳米节点的工艺上［3］。从IntelCorei7-3770之后的22纳米的处理器均使用了FinFET技术。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49
如果说在2019 年年中三星宣称将在2021年推出其“环绕式栅极（GAA）”技术取代FinFET晶体管技术，FinFET犹可淡定；而到如今，英特尔表示其5nm制程将放弃FinFET而转向GAA，就已有一个时代翻篇的迹
2020-03-16 15:36
打开这一年来半导体最热门的新闻，大概就属FinFET了，例如：iPhone 6s内新一代A9应用处理器采用新晶体管架构很可能为鳍式晶体管（FinFET），代表FinFET开始全面攻占手机处理器，三星
2015-09-19 16:48
本文介绍了当半导体技术从FinFET转向GAA（Gate-All-Around）时工艺面临的影响。
2025-05-21 10:51
在半导体制造领域，晶体管结构的选择如同建筑中的地基设计，直接决定了芯片的性能上限与能效边界。当制程节点推进到22nm以下时，传统平面晶体管已无法满足需求，鳍式场效应晶体管(FinFET) 以其
2025-06-25 16:49
我们首先来了解一下什么是FinFET技术。
2017-12-26 16:44
现在，随着FinFET存储器的出现，需要克服更多的挑战。这份白皮书涵盖：FinFET存储器带来的新的设计复杂性、缺陷覆盖和良率挑战；怎样综合测试算法以检测和诊断FinFET存储器具体缺陷；如何通过内建自测试（BIST
2016-09-30 13:48
本文主要介绍FinFet Process Flow—哑栅极的形成。 鳍片（Fin）的形成及其重要性 鳍片是FinFET器件三维结构的关键组成部分，它类似于鱼鳍的形状，因此得名。鳍片的高度直接决定
2025-01-14 13:55
