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  • 探索BJT、CMOSDMOS等半导体工艺技术

    双极性结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT),俗称三极管。晶体管中的电荷流动主要是由于载流子在PN结处的扩散作用和漂移运动,由于同时涉及到电子和空穴两种载流子的流动,因此它被称为双极性器件。

    2024-03-27 11:45

  • 集成CMOSDMOS技术优势的DG61X系列模拟开关特性及

    circuit performance in high-speed switching applications. Each of these devices integrates low-power CMOS drivers with high-speed DMOS

    2009-05-22 16:00

  • 什么是BCD工艺?BCD工艺与CMOS工艺对比

    BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺技术是将双极型晶体管、CMOS(互补金属氧化物半导体)和DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工艺。

    2024-03-18 09:47

  • BCD工艺介绍

    BCD是一种单片集成工艺技术。这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar,CMOSDMOS 器件,称为BCD工艺。

    2012-03-26 12:00

  • 意法半导体下的“冰下世界”

    TechInsights自2000年以来一直在关注意法半导体(STMicroelectronics;ST)的“双极-互补金属氧化半导体-双重扩散金属氧化半导体”(Bipolar-CMOS-DMOS;BCD)技术进展。

    2018-07-12 11:05

  • Globalfoundries惨遭劫持,台积电成为高通芯片订单最大客户

    高通将使用台积电的BCD工艺(Bipolar-CMOS-DMOS)来生产其新一代电源管理芯片,并将台积电作为其电源管理芯片的主要代工合作伙伴。

    2017-09-25 10:17

  • 启方半导体适用于功率半导体应用的0.18微米高压BCD工艺开始量产

    韩国唯一一家纯晶圆代工厂启方半导体(Key Foundry)今天宣布其0.18微米高压BCD(双极-CMOS-DMOS)工艺已经开始量产。

    2022-02-28 10:31

  • 全桥场偏转输出电路TDA8359Q相关资料下载

    正电压供电的情况下,全桥输出电路允许偏转线圈直流耦合。此IC采用低电压DMOS(LVDMOS)处理过程来制造,其内部包含双极性、CMOSDMOS器件。由于没有二次击穿问题,输出级可使用

    2021-04-16 06:44

  • TDA8359J全桥场偏转输出电路相关资料下载

    偏转输出电路,可作为一个高效G级系统运行。在单一正电压供电的情况下,全桥输出电路允许偏转线圈直流耦合。此IC采用低电压DMOS(LVDMOS)处理过程来制造,其内部包含双极性、CMOSDMOS器件。由于没有二次击穿

    2021-05-25 06:24

  • 直流电机驱动模块原理图资料

    L6201是一种应用多源BCD(Bipolar,CMOS,DMOS)技术来控制电机的全控桥驱动器芯片,这种芯片能将独立的DMOS场效应晶体管和CMOS以及二极管集成在一

    2020-10-12 16:13