描述ULN2803是高压高电流达灵顿晶体管阵列,每个都包含8个开放集电极公共发射极对。每对mA的额定功率为500mA。抑制二极管用于感应负载驱动,输入和输出固定相反,以简化板布局。这些设备能够驱动
2023-05-16 14:40 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
**P2803BMG-VB (VBsemi)**- **详细参数说明:** - 封装类型: SOT23 - 沟道类型: N-Channel - 额定电压
2024-04-02 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi IRLML2803GTRPBF 参数:- 封装:SOT23- 类型:N-通道MOSFET- 漏极-源极电压(Vds):30V- 连续漏极电流(Id):6.5A- 导通电阻(RDS
2024-04-01 14:02 微碧半导体VBsemi 企业号