近日，荣耀发布了7.09英寸超大屏幕的荣耀推出荣耀X30 Max，为用户带来大屏移动观影的沉浸体验。11月10日，荣耀X30 Max宣布联合CGS中国巨幕发起“奆屏享佳片”活动，通过巨幕与大屏的联合
2021-11-11 10:39
在栅极关断时，CGS和Con中的电荷将快速达到平衡。此处必须确保Con大于CGS，以确保稳态的电荷差使栅极电压VG变为负值，从而在硬开关应用中关断晶体管。
2021-01-20 15:25
对于这个高速的PWM波控制场景是致命的。当PWM波的周期接近于这个爬升时间时，这个波形就会失真。一般来说Cgs大小和Rds(on)是成反比的关系。Rds(on)越小，Cgs就越大。所以大家要注意平衡他们之间的关系。
2022-08-12 10:26
需要注意的是C5206和R5206是起缓启动作用的，但是由于C5206的本质是增加了PMOS的Cgs电容，所以在启动缓启动的同时，也会关断缓关断。（Cgs充放电时间都变长）可以电路需求更改电容和电阻从而更改缓启动时间。
2023-11-10 09:29
我们先来看看MOS关模型： Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，
2010-08-02 11:30
如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替
2019-07-03 16:26
我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET
2021-01-08 14:19
如图所示MOS管驱动电路，定性分析可知，当MOS管关断时，MOS管两端应力为Vds，此时Vds向Cgd和Cgs充电，可能导致Vgs达到Vgs(th)导致MOS管误导通。
2024-02-27 14:15
MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态;当MOSFET开通后
2022-04-19 10:28
