电子发烧友网站提供《IPS/LTPS/CGS/IGZO/AMOLED都是什么屏幕？又有什么区别.pdf》资料免费下载
2023-11-15 14:22
CGS-3100二氧化碳传感器模块是世界上最
2011-02-08 10:47
Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet:In this example, the equivalent CGS, CGD, and CDS
2009-11-29 17:21
Estimating MOSFET Parameters from the Data Sheet:In this example, the equivalent CGS, CGD, and CDS
2009-11-26 11:22
MOS关模型 Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第
2010-11-11 15:33
开通过程[ t0 ~ t4 ]： -- 在 t0 前，MOSFET 工作于截止状态，t0 时，MOSFET 被驱动开通； -- [t0-t1]区间，MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，在t1 时刻，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电；
2012-03-14 14:22
L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm，考虑其他走线因素，取L=Length+10(nH)，其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。Cgs为MOSFET栅源极电容，不同
2011-05-19 17:37
管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f.如...
2022-01-06 11:56
功率MOS管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v...
2022-01-06 12:04
的等效电路 IGBT可以看做是一个MOSFET和一个BJT组成的达林顿结构，如图所示其中栅-源极间电容为CGS，栅-漏极间电容（反馈电容）CGD 由交叠氧化电容COXD 以及耗尽层电容CGDJ 串联构成，其
2023-02-22 14:27
