### 4511GED-VB MOSFET产品简介4511GED-VB是一款双极性MOSFET,由VBsemi公司制造,采用Trench技术,封装为DIP8。它集成了N沟道和P沟道MOSFET,具有
2024-11-11 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:4511M-VB**4511M-VB 是一款高性能的双N+P-Channel MOSFET,采用SOP8封装。它结合了先进的沟槽技术和优秀的电气特性,适用于各种要求严格
2024-11-11 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4511GD-VB 是一款双通道 MOSFET,设计用于高效的电源管理和开关控制应用。该器件采用先进的 Trench 技术,集成了 N-Channel 和 P-Channel 结构
2024-11-11 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号
ADA4511-21 特性 低失调电压漂移:最大±2μV/°C低失调电压:最大±75μV低电压噪声:1μV p-p从0.1 Hz到10 Hz典型值低电压噪声密度:f=1 kHz时典型值为5
2024-04-28 09:24 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介AP4511GH-VB是一款双N+P沟道共源放大器MOSFET,采用Trench技术制造,适合于要求高功率和高效能的电路设计。其TO252-4L封装提供了良好的热管理和电气
2024-12-19 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP4511M-VB 产品简介AP4511M-VB 是一款双N+P沟道功率MOSFET,采用SOP8封装,适合需要同时控制正负沟道的应用设计。该器件具有低导通电阻和优异的开关特性,适用于要求
2024-12-19 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP4511GH-A-VB产品简介AP4511GH-A-VB是一款双N+P沟道MOSFET,采用TO252-4L封装,适用于高电压应用中的功率管理和开关控制。该器件结合了先进
2024-12-19 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号