MOSFET的击穿有哪几种? Source、Drain、Gate 场效应管的三极:源级S 漏级D 栅级G (这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿) 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后
2018-01-22 12:15
Source、Drain、Gate —— 场效应管的三极：源级S、漏级D、栅级G。（这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿）先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至
2021-02-08 17:38
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（这里不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。01MOSFET的击穿有哪几种？先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地
2025-02-11 10:39 台懋半导体（无锡）有限公司 企业号
此概念来自ISO26262-1：absence of cascading failures (1.13) between two or more elements (1.32) that could
2024-01-11 09:39
形成source metal和drain metal。首先在a-si上涂布一层金属材料来作为source metal和drain metal，然后在金属材料上涂布光阻胶并通过暴光、显影、蚀刻和除胶而
2018-11-28 16:36
OC门，又称集电极开路(漏极开路)与非门门电路，Open Collector(Open Drain)。
2022-08-12 14:36
VDS（Drain-source voltage）：漏源电压标称值，反应的是漏源极能承受的最大的电压值；
2023-01-08 10:49
CSS（全称 Cascading Style Sheets，层叠样式表）为开发人员提供声明式的样式语言，是前端必备的技能之一，基于互联网上全面的资料和简单易懂的语法，CSS 非常易于学习，但其知识点
2023-01-03 15:00
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。
2018-10-16 10:00
常说的与推挽输出相对的就是开漏输出（Open Drain Output），对于开漏输出和推挽输出的区别最普遍的说法就是开漏输出无法真正输出高电平，即高电平时没有驱动能力，需要借助外部上拉电阻完成对外驱动。
2023-01-29 13:41
