IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种电力电子器件，广泛应用于变频器、电动汽车、太阳能逆变器等领域。IGBT的导通压降（Vce(sat)）是指在IGBT导通状态下，集电极（C）和发射极（E）之间的电压
2024-09-19 14:51
芯片压降的管理是确保集成电路（IC）稳定运行的关键，涉及单板（PCB）、封装、芯片内部等多个层面。具体的推荐指标数据因应用领域、工艺节点、
2024-10-22 15:40
本文将聚焦“低压降”的含义，并介绍安森美半导体低压降和极低压降值的LDO产品和方案。您的应用需要低压降的LDO吗？我们将讲解压降的含义，如何测量以及具有标准
2020-11-23 09:27
的流程。由于在单板PCB上从源端到芯片负载端的路径上，铜皮存在DC电阻，电源在PCB路径上就会产生电压压降，如果压降太大，芯片
2022-02-28 10:50
如果我们采用24MHZ的晶振，每个时钟周期是41.6ns那么上面的延时语句的延时精度可以是41.6×8/3＝111ns，已经足够精确了。 如果我们要产生xns的延时，只要代入计算公式：（x-83.2）/27.7得到delay的初始值就可以了！！
2019-06-12 15:37
本文中基于 QC/T 29106-2014 标准，提出了新的耐久特性测试和触点压降测试方法，并针对这2种测试方法进行试验验证。以下为正文。
2023-09-14 10:00
设计采用高性能单片机C8051F020为控制芯片，监控示波器面板上40个按键、3个编码开关及4个电位器的状态。
2019-12-30 09:43
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——一种具有压降速率检测的低功耗压力变送器。该专利由特福隆（上海）科技有限公司申请，并于2016年10月5日获得授权公告。
2018-11-09 09:27
硅二极管的正向压降是指在二极管导通时，其两端的电压差。这个值对于硅二极管来说通常在0.6V到0.7V之间，但这个值会受到温度、电流和制造工艺等因素的影响。 半导体物理基础 要理解硅二极管的正向压
2024-10-14 15:48
