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型号：20<b class='flag-s-7'>N50L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 20N50L-T3P-T-VB 产品简介20N50L-T3P-T-VB 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为 TO247。具有较低的导

2024-07-09 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N50G-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、20N50G-T3P-T-VB 产品简介20N50G-T3P-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO3P，采用了SJ_Multi-EPI技术，

2024-07-09 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20<b class='flag-s-7'>N60L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：20N60L-T3P-T-VB**VBsemi的20N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低

2024-07-09 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AT25512<b class='flag-s-7'>N-SH-T</b> 品牌：

AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH-T是一款高性能

2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：22<b class='flag-s-7'>N60L-T3P-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：22N60L-T3P-T-VB**VBsemi的22N60L-T3P-T-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术。该器件具有高耐压、低

2024-07-10 10:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N80L-TA3-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、3N80L-TA3-T-VB 产品简介3N80L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有850V的漏源极电压（VDS），30V的栅源极电压（VGS

2024-11-07 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N65KG-TF3-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、3N65KG-TF3-T-VB 产品简介3N65KG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该产品具有650V的漏源极电压（VDS），30V的栅源极电压

2024-11-07 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N60ZG-TF3-T</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介3N60ZG-TF3-T-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高压应用场合。它具有较高的击穿电压和可靠性，适用于要求高效能和高稳定性的电源和开关电路

2024-11-07 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SLN30<b class='flag-s-7'>N03T</b> 品牌：

深圳市三佛科技有限公司 供应30V 30A DFN3*3-8 N沟道 MOS管SLN30N03T，原装，库存现货热销 SLN30

2022-11-29 11:44 深圳市三佛科技 企业号

型号：7<b class='flag-s-7'>N65AL-TF3-T</b>-VB 品牌：微碧

### 一、7N65AL-TF3-T-VB 产品简介7N65AL-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术制造，封装形式为TO220F。具有高达650V的耐压能力和适中

2024-11-21 10:58 微碧半导体VBsemi 企业号