和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07
众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管（BJT）在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3W
2021-03-15 15:29
晶体管 BJT 和MOSFET 都适用于放大和开关应用。然而，它们具有显着不同的特征。 双极结型晶体管 (BJT) 双极结型晶体管，通常称为 BJT，从结构上看，就
2022-06-22 19:29
晶体管的工作原理就像电子开关，它可以打开和关闭电流。一个简单的思考方法就是把晶体管看作没有任何动作部件的开关，晶体管类似于继电器，因为你可以用它来打开或关闭一些东西。当然了晶体管也可以部分打开，这对于放大器的设计很有用。
2023-03-25 10:40
晶体管是一个简单的组件，可以使用它来构建许多有趣的电路。在本文中，将带你了解晶体管是如何工作的，以便你可以在后面的电路设计中使用它们。
2022-04-26 12:02
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n-层。
2022-09-13 14:38
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但是前提耐压能力没有IGBT强。
2018-07-24 10:25
由于MOSFET的结构，通常它可以做到电流很大，可以到上KA，但耐压能力没有IGBT强。
2018-12-03 11:21
碳化硅MOSFET技术是一种半导体技术，它可以用于控制电流和电压，以及检测电阻、电容、电压和电流等参数，以确定电子设备是否正常工作。碳化硅MOSFET技术的关键技术包括结构设计、材料选择、工艺制程、测试技术等。
2023-02-15 16:19
