半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说IGBT是由BJT和MOSFET组成的器件？它们之间有什么区别和联系？在
2023-02-10 15:33
MOSFET已经是是开关电源领域的绝对主力器件。但在一些实例中，与MOSFET相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压（大于 1kV
2018-10-08 15:42
嗨：是否可以在EMpro仿真中对BJT / MOSFET等器件进行建模？我在想是否可以将其建模为EMpro中的电流/电压源。这是一个正确的假设吗？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文Hi
2018-11-29 10:39
作者：Brian King今天，开关电源将把 MOSFET 作为电源开关几乎是意料之中的事情。但在一些实例中，与 MOSFET 相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在
2018-09-18 11:32
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先
2018-11-30 11:34
今天，开关电源将把 MOSFET 作为电源开关几乎是意料之中的事情。但在一些实例中，与 MOSFET 相比，双极性结式晶体管 (BJT) 可能仍然会有一定的优势。特别是在离线电源中，成本和高电压
2022-11-23 08:08
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的
2018-12-03 14:29
在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结，即NPNP结构，在原理上是MOS推动的P型BJT；多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟...
2021-09-09 08:05
众所周知，与MOSFET相比，双极性结式晶体管(BJT)在成本上有很大的优势。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情况下，当功率级提高到3
2018-10-10 16:55
，IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（voltage tail）出现
2018-08-27 20:50
