为了解决传统S/H电路失真大和静态工作点不稳定的问题，采用0.25 μm BiCMOS工艺，设计了一款高速率、高精度的10位全差分BiCMOS S/H电路。文中改进型自
2021-04-21 06:24
想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺，在此先谢谢了！
2016-02-20 22:59
任意大小的基准电压。本文提出一种新的电流模带隙结构并采用一阶温度补偿技术设计了一种具有良好的温度特性和高电源抑制比，并且能快速启动的新型BiCMOS带隙基准电路。该电路结构简单且实现了低输出电压的要求。
2019-07-12 07:36
本文介绍了一种基于SiGe BiCMOS、开环全差分结构的SH。采样速率可以达到800 Msps，采样精度可以达到8 bit，能够适应无线通信领域的要求。
2021-04-14 06:36
本文介绍了一种基于SiGe BiCMOS、开环全差分结构的SH。采样速率可以达到800 Msps，采样精度可以达到8 bit，能够适应无线通信领域的要求。
2021-04-08 06:07
1.5GHz BiCMOS级间电感匹配低噪声放大器设计，不看肯定后悔
2021-04-23 07:12
请问一下，对于BiCMOS工艺设计的混频器，在virtuoso软件里怎么样仿真其隔离度呢？
2021-06-24 07:00
泰克公司最近宣布首款经验证采用 IBM 8HP 硅锗 (SiGe) BiCMOS 特殊工艺技术设计的新型示波器平台ASIC各项技术指标优于规定要求，实现了新型高性能示波器的设计目标，使多通道带宽达
2019-07-24 07:47
-114 dBc／Hz。为了解决上述文献带宽较窄、Nphase值偏高的缺陷，特设计了一款0.35μm SiGe BiCMOS差分LC VCO。
2019-07-12 08:03
恩智浦半导体（NXP Semiconductors），近日推出业界领先的QUBIC4 BiCMOS硅技术，巩固了其在射频领域的领导地位，实现在高频率上提供更优的性能和更高集成度的同时，为客户带来成本
2019-07-12 08:03
