在现代电子技术领域，半导体工艺的发展日新月异，其中BiCMOS技术以其独特的优势受到了广泛关注。BiCMOS技术是一种将
2024-05-23 17:05
结论 本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。
2018-01-08 09:27
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚微米制造工艺提出如下严格的要求： （1）高质量栅氧化膜。栅氧化膜厚度
2018-03-16 10:29
在 20 世纪 90 年代末和 21 世纪初，全球定位系统 （GPS） 就已经成为主流。最开始是室外导航，随着导航技术的发展，可用于室内定位人和物的需求与日俱增。导航技术的微型化之路促进了UWB 技术的诞生和发展。
2021-03-12 13:50
HMC684LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为0.7 - 1.0 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+30 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+25 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为7 dB。 DC至450 MHz的IF频率响应能够满足GSM/CDMA发射或接收频率规划要求。 HMC684LP4(E)与HMC685LP4(E)引脚兼容，后者是一款集成LO放大器的1.7 - 2.2 GHz混频器。
2025-04-02 11:11
HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+38 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+26 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为8 dB（典型值）。 高达300 MHz的IF频率响应可满足GSM/CDMA发射或接收频率计划要求。 HMC785LP4E针对1.7 - 2.2 GHz RF频段低端LO频率计划进行了优化，并与HMC685LP4E引脚兼容。
2025-04-02 14:21
HMC685LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+32 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+27 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为8 dB。 DC至500 MHz的IF频率响应能够满足GSM/CDMA发射或接收频率规划要求。 HMC685LP4(E)与HMC684LP4(E)引脚兼容，后者是一款集成LO放大器的700 - 1,000 MHz混频器。
2025-04-02 11:15
HMC688LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为2.0 - 2.7 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+35 dBm的出色输入IP3下变频性能。
2025-04-02 13:53
HMC687LP4(E)是一款高动态范围无源MMIC混频器，集成LO放大器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率为1.7 - 2.2 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用可以获得+35 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1 dB (+23 dBm)压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗典型值为8 dB。
2025-04-02 13:48
HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高动态范围无源MMIC混频器，采用4x4 SMT QFN封装，工作频率范围为0.7至1.1 GHz。 LO驱动为0 dBm时，3G和4G GSM/CDMA应用具有+40 dBm的出色输入IP3下变频性能。 采用1dB (+25 dBm)输入压缩时，RF端口支持各种输入信号电平。 转换损耗为7.5 dB（典型值）。 高达250 MHz的IF频率响应可满足GSM/CDMA发射或接收频率计划要求。 HMC786LP4E针对0.7 - 1.1 GHz RF频段高端LO频率计划进行了优化，并与HMC686LP4E引脚兼容。
2025-04-02 14:27
