按照基本工艺制程技术的类型，BiCMOS 工艺制程技术又可以分为以 CMOS 工艺制程技术为基础的 BiCMOS 工艺制程技术，或者以双极型工艺制程技术为基础的 BiCMOS 工艺制程技术。以
2024-07-23 10:45
BiCMOS门电路 根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MO
2009-04-06 23:31
在现代电子技术领域，半导体工艺的发展日新月异，其中BiCMOS技术以其独特的优势受到了广泛关注。BiCMOS技术是一种将CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极型晶体管（Bipolar
2024-05-23 17:05
BiCMOS反相器 双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视。
2009-04-06 23:31
一、技术定义与核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）是一种将双极型晶体管（BJT）与CMOS晶体管集成在同一芯片上的混合工艺技术，通过结合两者的优势实现高性能与低功耗的平衡
2025-04-17 14:13
结论 本文采用自举升压电路，设计了一种BiCMOS Totem结构的驱动电路。该电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计，可在1.5V电压供电条件下正常工作，而且在负载电容为60pF的条件下，工作频率可达5MHz以上。
2018-01-08 09:27
采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品 恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe：C技术的产品，其QUBiC4 SiGe：C工艺技术可提供高功率增益和优
2010-05-24 11:06
简述： A5303是低功耗BiCMOS光电烟雾检测电路，具有超低的待机电流，工作寿命长达10年，且电池价格低廉
2010-10-15 17:21
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚微米制造工艺提出如下严格的要求： （1）高质量栅氧化膜。栅氧化膜厚度
2018-03-16 10:29
BiCMOS[B]的 Twin-Well[1]与P-Well[2]或 N-Well[3] 的制造技术有很大的不同。主要是 CMOS 特征尺寸为亚微米级，使制造技术发生了重要的变化。 由于器件
2017-12-18 14:30
