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型号：SI2300<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

型号   SI2300BDS-T1-GE3-VB丝印   VB1240品牌   VBsemi详细参数说明   沟道类型   N沟道

2023-11-13 10:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2318<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

型号：SI2318BDS-T1-GE3-VB丝印：VB1330品牌：VBsemi封装：SOT23参数：- N-Channel沟道- 额定电压（VDS）：30V- 额定电流（ID）：6.5A- 开启

2024-04-03 17:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2301<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

SI2301BDS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；门源电压范围：12Vgs

2023-12-09 14:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2312<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

型号：SI2312BDS-T1-GE3-VB丝印：VB1240品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：20V- 最大连续电流：6A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：24m

2023-12-15 09:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2316<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

SI2316BDS-T1-GE3-VB 是 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管，具有以下详细参数：- 封装：SOT23- 额定电压：30V- 额定电流：6.5A- 漏极

2024-04-03 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2305<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

**详细参数说明：**- 产品型号: SI2305BDS-T1-GE3-VB- 品牌: VBsemi- 丝印: VB2290- 封装: SOT23- 沟道类型: P—Channel- 最大耐压

2024-04-03 16:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2306<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

SI2306BDS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N通道沟道场效应晶体管（FET），具体参数如下：- 封装：SOT23- 额定电压：30V- 额定电流：6.5A- 开通电阻：30m

2024-04-03 16:53 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2308<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-GE3-VB 品牌：微碧

SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下

2023-11-30 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2309<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-E3-VB 品牌：微碧

SI2309BDS-T1-E3-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道MOSFET，采用SOT23封装。以下是该产品的详细参数和应用简介：- **参数说明：** - 类型：P

2024-04-03 17:05 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SI2302<b class='flag-s-7'>BDS</b>-T1-E3-VB 品牌：微碧

**VBsemi SI2302BDS-T1-E3-VB****丝印：** VB1240**品牌：** VBsemi**参数：**- 封装：SOT23- 类型：N-Channel沟道- 额定电压

2024-04-03 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号