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  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

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    2015-07-04 09:53

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    各位,我要做一个CCD相机。我在书上看到了DL32面阵CCD,但是在网上搜是搜不到的,我想知道它的厂家是哪个?有人知道吗?谢谢

    2014-12-09 20:22

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    2021-11-04 06:18

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    在ALLEGRO中设置T接点后,如下图所示据我的理解,ALLEGRO中T接点等长设置的是图中BC和BD两断走线的等长,对吧??那如何设置AB走线的等长??

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    2017-03-12 21:11

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    π衰减器加在功放后还是前?现在,焊了个π电路,三个电阻,中间一个24Ω,两边120Ω,听同事说是个衰减器,加在功放后还是前,有什么讲究吗?

    2016-06-13 00:11

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    绕线由机头、夹具、机座等三大部份组成,且与平形绕线不一样是,同一款机头在更换不同规格的储线环之后才能适用不同的线径、绕制不同内径的产品,同时夹具也有相应的夹持范围。

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