)技术设计,具备优秀的导通特性和稳定性能,适用于多种电源管理和电路控制应用。### AP18P10GI-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO220
2024-12-17 10:24 微碧半导体VBsemi 企业号
功率损耗的电子应用。该器件采用先进的Trench技术制造,提供稳定的性能和可靠的操作。### 详细参数说明- **型号**: AP18P10GS-VB- **封装*
2024-12-17 10:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP18P10GJ-HF-VB 是一款单 P-沟道功率场效应管(Power MOSFET),采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用,具有-100V
2024-12-17 10:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP18P10AGH-HF-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用TO252封装。它具备负高压漏源电压和优异的导通特性,适用于需要高效电力控制和保护的应用场景。这款
2024-12-17 09:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP18P10AGJ-HF-VB 是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO-251封装。该器件基于Trench技术,具有高漏源电压和低导通电阻,适用于需要高效能和可靠性的应用。具体
2024-12-17 10:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介:AP18P10GM-HF-VB 是一款单P沟道功率场效应管(Power MOSFET),采用SOP8封装。它具有负向高压耐受能力(最大-100V VDS)、低导通电阻(RDS
2024-12-17 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号