电压的电路中使用。该型号封装为TO252-4L,具有先进的沟槽技术,能够提供可靠的功率开关和低损耗的解决方案。### AMD534CE-VB 详细参数说明- **封装形式
2024-12-03 15:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### AMD534C-VB 产品简介AMD534C-VB 是一款多功能的Common Drain N+P沟道MOSFET,采用TO252-4L封装,适合需要高电压承载和双极性操作的应用场合。该器件
2024-12-03 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号**: AMD540CE-VB**封装**: TO252-4L**配置**: 共源-单N+P沟道MOSFETAMD540CE-VB是一款高性能的共源-单N+P沟道MOSFET
2024-12-03 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AMD533CE-T1-PF-VB是一款双通道共源N+P沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术设计,封装形式为TO252-4L。该MOSFET具有广泛的工作电压范围和适用于多种应用场
2024-12-03 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号