。该产品在TO220F封装中提供,适用于需要高电压和高性能的功率电子应用。## 参数说明:- 封装:TO220F- 构型:单N沟道- 漏极-源极电压(VDS):8
2024-07-05 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品信息:**EP2C20F484C8N是由领先技术公司开发的多功能高性能FPGA(现场可编程门阵列),在各行各业具有广泛的应用,以其可靠性和效率而闻名。**产品详细参数
2024-04-27 08:48 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
,适用于高功率应用。### 详细参数说明- **型号**: 17N80C3-VB- **封装**: TO220F- **配置**: 单N沟道- **漏源电压 (V
2024-07-08 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 8N80K5-VB MOSFET 产品简介8N80K5-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,封装为 TO220F。它具有高达800V 的漏源电压
2024-11-22 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
,适合工业和电力电子应用。### 详细参数说明- **型号**: 8N80L-TF3-T-VB- **封装**: TO220F- **配置**: 单N沟道- **漏源
2024-11-22 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号
EP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE6F17C8N ,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:05 深圳市金和信科技有限公司 企业号
EP4CE10F17C8N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL/ALTERAEP4CE10F17C8N,Cyclone IV FPGA设备,INTEL
2023-02-20 17:00 深圳市金和信科技有限公司 企业号
在TO220F外壳中,具有良好的散热性能和可靠的电性能。### 二、7N80H-VB TO220F型号的详细参数说明- **封装类型**:TO220
2024-11-21 11:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**8N80L-TF1-T-VB** 是一款单通道 N 型 MOSFET,采用 TO220F 封装,由 VBsemi 提供。它设计用于高压应用环境,具备高击穿电压和稳定的电性能,适合
2024-11-22 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号