ADG9xx CMOS宽带开关主要设计用来满足工业、科研和医用(ISM)频段 (≥900 MHz) 信号发射器件的要求。
2018-10-04 08:44
ADG918/ADG919是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）
2025-03-06 11:10
ADG5421F 是一款双通道 SPST、低导通电阻开关，在源极引脚上具有过压保护、断电保护和过压检测功能。
2021-06-12 09:28
ADG936/ADG936-R均为采用CMOS工艺制造的宽带模拟开关，包含两个独立可选的SPDT开关，在最高至1 GHz范围内具有高隔离、低插入损耗特性。
2025-03-06 11:20
ADG3242是一款2.5 V或3.3 V、2位、2端口公共控制数字开关，采用低压CMOS工艺制造，具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。输入可以与输出相连，而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 11:02
ADG3246是一款2.5 V或3.3 V、10位、2端口数字开关，采用低压CMOS工艺制造，具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。输入可以与输出相连，而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 11:27
ADG918是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG919则是一款反射式开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成
2025-03-06 11:15
ADG3241是一款2.5 V或3.3 V、单通道数字开关，采用低压CMOS工艺制造，具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。输入可以与输出相连，而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 14:34
ADG3245是一款2.5 V或3.3 V、8位、2端口数字开关，采用低压CMOS工艺制造，具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。输入可以与输出相连，而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。
2025-05-16 11:22
ADG3233是一款旁路开关，采用亚微米工艺制造，电源电压低至1.65 V。保证工作电压范围为1.65 V至3.6 V。它采用两个电源电压工作，可进行双向电平转换，即低压转高压和高压转低压。信号路径为单向，数据只能从A流向Y。
2025-05-16 11:36
