满足现代射频系统的苛刻要求而设计。下面我们将详细介绍HMC5805LS6TR的主要特点、性能参数以及应用领域。一、主要特点HMC5805LS6TR的主要特点包括:
2024-02-16 17:42 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
的漏源电压和适中的导通电阻,适用于需要高压耐受和中等功率的功率管理应用。### 2SK4063LS-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO22
2024-11-01 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
在各种环境下进行功率控制和开关应用。### 二、2SK2045LS-VB 型号的详细参数说明- **封装形式(Package):** TO220F- **配置(Con
2024-07-17 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号
的漏源电压和较高的导通电阻,适用于需要高压耐受和低功率的应用。### 2SK4200LS-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO220F- *
2024-11-01 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
通电阻和高的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高功率的中压功率管理应用。### 2SK4073LS-VB MOSFET 详细参数说明- **封装类型**: TO
2024-11-01 13:52 微碧半导体VBsemi 企业号
的应用,如电源开关和工业控制等领域。### 2SK4101LS-VB 详细参数说明- **封装类型**:TO220F- **配置**:单N沟道- **漏极-源极电压 (
2024-11-01 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号