AD7656-1/AD7657-1/AD7658-1分别是AD7656/AD7657/AD7658降低去耦要求的引脚和软件兼容版本， 均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并
2023-03-15 14:18 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS™工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米
2023-03-15 15:09 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AD7656 /AD7657 / AD7658在一个封装中集成6个16/14/12位、快速、低功耗、逐次逼近型ADC，均基于设计i互补型金属氧化物半导体™工艺(工业CMOS)。iCMOS是一种将高压
2023-07-07 15:58 深圳芯领航科技有限公司 企业号
描述 AD7656/AD7657/AD7658均内置六个16/14/12位、快速、低功耗逐次逼近型ADC，并集成到一个封装中，采用iCMOS™工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将
2023-08-31 11:54 深圳芯领航科技有限公司 企业号
AD7656A内置六个16位、快速、低功耗、逐次逼近型模数转换器(ADC)，并集成到一个封装中，采用iCMOS®工艺（工业级CMOS）设计。iCMOS是一种将高压硅与亚微米CMOS及互补双极性技术
2023-03-15 11:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 4969NG-VB MOSFET 产品简介4969NG-VB 是一款单N沟道（Single-N-Channel）MOSFET，采用Trench技术，封装为TO252。该MOSFET具有低导
2024-11-12 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4905NG-VB 产品简介4905NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它专为需要高功率处理和低导通电阻的应用而设计。通过沟槽（Trench）技术制造
2024-11-12 13:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 5805NG-VB 产品简介5805NG-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有低导通电阻和高电流承受能力。其设计适合于需要高效能和稳定性能的应用场
2024-11-14 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4854NG-VB MOSFET产品简介4854NG-VB是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi公司生产，采用TO252封装。它具有极低的导通电阻、高漏极电流承载能力和优越的性能特征
2024-11-12 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4865NG-VB 产品简介4865NG-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装。它设计用于高功率电子设备中，具有优异的功率开关特性和低导通电阻。采用先进的沟槽（Trench
2024-11-12 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号
