### 1. 产品简介AP9T18J-VB 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET，采用槽沟技术，设计用于高性能功率管理和开关应用。具有低导通电阻和高漏极电流能力，适合在要求高功率密度和可靠性
2024-12-27 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP9T18GH-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，设计用于中功率和高效能应用场合。其封装为 TO252，具有低导通电阻和高电流承载
2024-12-27 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### 9T18J-VB MOSFET 产品简介9T18J-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO251 封装。它支持最大 30V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压
2024-11-27 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、9U18GH-VB 产品简介9U18GH-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，适用于低压和高导通电阻要求的应用。该器件采用Trench技术，具有优异的导通特性和稳定性
2024-11-27 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介9T18GEH-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO252。该MOSFET具有低压降和高电流承载能力，适合中高功率应用场合。### 详细参数
2024-11-27 14:13 微碧半导体VBsemi 企业号
罗德与施瓦茨FSL18频谱分析仪9kHz至18GHz 厂商名称：德国罗德与施瓦茨Rohde&Schwarz R&S详细说明：R&S 罗德与施瓦茨FSL 频谱
2025-02-21 10:53 深圳仪信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介详述：AP9U18GH-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），采用了Trench技术制造。它设计用于中功率和高效能的电子应用，提供了优秀的导通特性和可靠性。### 2.
2024-12-27 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介：AP9T18GEH-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造，封装为 TO252。它具有低导通电阻和高电流容量，适用于中功率电子应用，特别是
2024-12-27 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**9T18GH-VB** 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。该型号的 MOSFET 具有 30V
2024-11-27 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
1、灯板外径：89.8mm2、灯板功率：18W3、灯珠并串：4B9C4、灯珠数量：36棵5、灯珠型号：5730-0.5W/正白/暖黄
2023-11-30 17:26 江苏觅丹智能电器有限公司 企业号
