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型号：<b class='flag-s-7'>10</b>D-EC 品牌：优恩

优恩半导体10D-EC系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达3.5ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括

2023-07-12 15:24 深圳市优恩半导体有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10</b>D 品牌：优恩

优恩半导体10D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达3.5ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括间接

2023-07-12 15:29 深圳市优恩半导体有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b> 品牌：

; 100V  10A  N沟道 MOS场效应管型号：10N10VDS: 100VIDS:  10A封装：TO-252/SOT-89沟道：

2022-11-22 16:57 深圳市三佛科技 企业号

型号：UTT50P<b class='flag-s-7'>10</b> 品牌：

Speed骊微电子供应UTT50P10 100v p型mos  提供供应UTT50P10 to252封装100v p沟道mos管参数、规格书等，是UT

2022-03-30 15:13 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>10P10</b>GH-VB 品牌：微碧

### 一、AP10P10GH-VB 产品简介AP10P10GH-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET，采用先进的沟道技术（Trench），具备负电压承受能力和低导通电阻的特点。该器件封装

2024-12-16 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：042N<b class='flag-s-7'>10</b>N-VB 品牌：微碧

### 产品简介`042N10N-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用TO263封装技术，适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代

2024-07-02 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10</b>AS066H3F34E2SG 品牌：

10AS066H3F34E2SG 电子元器件 Intel/Altera 封装FBGA-1152 

2022-08-03 10:52 深圳市美佳特科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10</b>AS048H3F34E2SG 品牌：

10AS048H3F34E2SG IC 电子元器件 ALTERA/阿尔特拉 封装BGA 

2022-08-03 15:21 深圳市美佳特科技有限公司 企业号

型号：RU40L<b class='flag-s-7'>10</b>L-VB 品牌：微碧

**产品简介：**RU40L10L-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管，具有单个P沟道。该晶体管适用于高功率电子应用，采用TO252封装，具有良好的散热性能。具有-40V的漏极-源极电压

2024-06-14 14:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMB<b class='flag-s-7'>10</b>J SERIES 品牌：江苏芯格诺

封装形式：SMB10J5.0A、SMB10J6.0A、SMB10J6.5A、SMB10J7.0A、SMB

2022-07-26 11:03 江苏芯格诺电子科技有限公司 企业号