优恩半导体10D系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达3.5ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括间接
2023-07-12 15:29 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
优恩半导体10D-EC系列径向导联压敏电阻通过提供比以往更高的浪涌额定值，为低直流电压应用提供了理想的电路保护解决方案。最大峰值浪涌电流可达3.5ka (8/20 μs脉冲)，以防止高峰值浪涌，包括
2023-07-12 15:24 深圳市优恩半导体有限公司 企业号
Ω@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电
2023-11-03 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10N10EL-VB 产品简介：10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO252 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：100V，适用于中等电压
2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
10N10SC-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及1.8V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V
2024-07-04 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 10V, 195mΩ @ 4.5V- 门极-源极阈值电压范围（Vth）：-1.77V- 门极驱动电压范围：±20V- 封装类型：TO252应用简介：AP10P10G
2023-12-19 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号
10N10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.8V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导
2024-07-04 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介10N10-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET，采用了槽沟工艺（Trench Technology）。它具有100V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压
2024-07-04 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
V, 121mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：1.6V- 封装类型：TO252应用简介：12N10-VB是一款高电压、高电流N沟道MOSF
2023-12-21 10:55 微碧半导体VBsemi 企业号
