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型号：STD<b class='flag-s-7'>10NF10</b>T4-VB 品牌：微碧

Ω@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电

2023-11-03 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>EL-VB 品牌：微碧

### 10N10EL-VB 产品简介：10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO252 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：100V，适用于中等电压

2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b> 品牌：

; 100V  10A  N沟道 MOS场效应管型号：10N10VDS: 100VIDS:  10A封装：TO-252/SOT-89沟道：

2022-11-22 16:57 深圳市三佛科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>SC-VB 品牌：微碧

10N10SC-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及1.8V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V

2024-07-04 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>10P10</b>GH-HF-VB 品牌：微碧

Ω @ 10V, 195mΩ @ 4.5V- 门极-源极阈值电压范围（Vth）：-1.77V- 门极驱动电压范围：±20V- 封装类型：TO252应用简介：AP10P10G

2023-12-19 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MTD<b class='flag-s-7'>10N10</b>EL-VB 品牌：微碧

**TO252 封装**。该器件具备 **100V** 的漏源电压 (VDS) 和 **±20V** 的栅源电压 (VGS)，适用于多种电力管理与开关应用。MTD10N10E

2025-10-11 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>L-VB TO220 品牌：微碧

10N10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.8V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导

2024-07-04 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NTD<b class='flag-s-7'>10N10</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介**NTD10N10-VB**是一款高效的N通道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用设计。其最大漏极-源极电压（VDS）为100V，栅极-源极电压（VGS）可达

2025-10-14 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：MTD<b class='flag-s-7'>10N10</b>ELT4-VB 品牌：微碧

### MTD10N10ELT4-VB 产品简介MTD10N10ELT4-VB 是一款高性能单N通道功率 MOSFET，采用 **TO252 封装**，专为高电压和高电流应用设计。该器件的漏极-源极

2025-10-11 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介10N10-VB 是一款单路 N 沟道 MOSFET，采用了槽沟工艺（Trench Technology）。它具有100V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压

2024-07-04 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号