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型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>SC-VB 品牌：微碧

10N10SC-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET，具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及1.8V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V

2024-07-04 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>L-VB TO220 品牌：微碧

10N10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.8V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导

2024-07-04 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STD<b class='flag-s-7'>10NF10</b>T4-VB 品牌：微碧

Ω@4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.6Vth 封装 TO252应用简介 STD10NF10T4是一款N沟道MOSFET，适用于高电压和大电

2023-11-03 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UTT50P<b class='flag-s-7'>10</b> 品牌：

Speed骊微电子供应UTT50P10 100v p型mos  提供供应UTT50P10 to252封装100v p沟道mos管参数、规格书等，是UT

2022-03-30 15:13 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：18T<b class='flag-s-7'>10</b>GH-VB 品牌：微碧

### 产品简介18T10GH-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达100V的漏极-源极电压（VDS）和15A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO252封装

2024-07-08 16:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>10N10</b>EL-VB 品牌：微碧

### 10N10EL-VB 产品简介：10N10EL-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO252 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：100V，适用于中等电压

2024-07-04 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：15P<b class='flag-s-7'>10</b>GP-VB 品牌：微碧

### 15P10GP-VB 产品简介**产品简介**：15P10GP-VB是一款高性能的单P沟道功率MOSFET，采用TO220封装。该器件设计用于负压开关和控制应用，具有优秀的电流处理能力和低导

2024-07-06 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：042N<b class='flag-s-7'>10</b>N-VB 品牌：微碧

### 产品简介`042N10N-VB` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用TO263封装技术，适用于各种高效电力转换和管理应用。### 详细参数说明- **替代

2024-07-02 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：05CN<b class='flag-s-7'>10</b>L-VB 品牌：微碧

VBsemi的05CN10L-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth）、在VGS

2024-07-02 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>10P10</b>GH-HF-VB 品牌：微碧

Ω @ 10V, 195mΩ @ 4.5V- 门极-源极阈值电压范围（Vth）：-1.77V- 门极驱动电压范围：±20V- 封装类型：TO252应用简介：AP10P10G

2023-12-19 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号