器件封装在TO252外壳中,适合紧凑型和高效能的电力转换和管理应用。### 二、AP09N20BGH-HF-VB 详细参数说明- **型号**: AP09N20B
2024-12-16 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A(丝印 VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N20H-VB 产品简介:09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压(Vth):2V- 封装类型:TO252应用简介:SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多
2023-12-20 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介:09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管,采用 TO220 封装,主要特点包括:- **VDS(漏极-源极电压)**:650V,适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号