产品描述 DW09系列产品是一款高集成度的锂离子/聚合物电池保护解决方案。DW09包含先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW09采用小型封装
2024-01-17 16:39 深圳世微半导体有限公司 企业号
Intel NUC 11计算元件(U系列)Intel® NUC 11计算元件(U系列)可搭配各种功能强大的Intel®处理器使用。每个计算元件还提供内存、存储和多个I/O选项,均在一个小型
2024-02-27 11:56 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 09N20H-VB 产品简介:09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A(丝印 VBE1307)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压(Vth):2V- 封装类型:TO252应用简介:SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET,适用于多
2023-12-20 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介:09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管,采用 TO220 封装,主要特点包括:- **VDS(漏极-源极电压)**:650V,适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
MGV100-09-0805-2MACOM 的 MGV100-09-0805-2 是电容为 0.06 pF、电容比为 2.2 至 4.4、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子
2023-04-10 16:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
09N65E-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V
2024-07-04 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
;Vth=1.8V;封装: TO252**详细参数说明:**- **型号**: ZXMN6A09KTC-VB- **丝印**: VBE1638- **品牌**: V
2024-01-02 10:31 微碧半导体VBsemi 企业号