### 09N20H-VB 产品简介：09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
09N65E-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V
2024-07-04 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
产品描述 DW09系列产品是一款高集成度的锂离子/聚合物电池保护解决方案。DW09包含先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW09采用小型封装
2024-01-17 16:39 深圳世微半导体有限公司 企业号
09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导
2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
09N65GX-VB是一款TO220F封装的单路N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±），以及3.5V的阈值电压（Vth）。其在VGS=10V
2024-07-04 14:41 微碧半导体VBsemi 企业号
MGV100-09-0805-2MACOM 的 MGV100-09-0805-2 是电容为 0.06 pF、电容比为 2.2 至 4.4、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子
2023-04-10 16:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
