Jupiter是为昕板级EDA全流程方案中的原理图工具。采用全新的先进数据架构，大幅提升产品性能，满足日益复杂的电子系统设计需求。Jupiter通过智能化的符号库管理、结构化设计引擎、网络分析等核心
2022-04-11 13:47 上海为昕科技有限公司 企业号
电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A（丝印 VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N20H-VB 产品简介：09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：2V- 封装类型：TO252应用简介：SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于多
2023-12-20 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
产品描述 DW09系列产品是一款高集成度的锂离子/聚合物电池保护解决方案。DW09包含先进的功率MOSFET、高精度电压检测电路和延迟电路。DW09采用小型封装
2024-01-17 16:39 深圳世微半导体有限公司 企业号
09N65E-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3.5V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V
2024-07-04 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号
09N50I-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导
2024-07-04 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
