**VB1102M N-Channel MOSFET**- **参数 (Specifications):** - 封装 (Package): SOT23 - 沟道类型
2024-03-18 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: CEM4309-VB 品牌: VBsemi 丝印: VBA5638 封装: SOP8 参数:- N+P—Channel沟道- 最大耐压
2024-03-15 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
MIS6567-VB 是 VBsemi 公司生产的双通道 N+P-Channel 沟道功率场效应晶体管，具有以下参数：- 最大漏极-源极电压：±20V- 最大漏极电流：7A（N-Channel
2024-06-11 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSL308C-VB是VBsemi品牌的双N+P-Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。具有两个N-Channel和两个P-Channel沟道，适用于需要多功能
2024-05-28 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi N+P-Channel MOSFET STS2620-VB**- **丝印：** VB5222- **品牌：** VBsemi- **参数：** - 2个N+P
2024-06-17 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
**VB1695 N-Channel MOSFET (AM2398N-T1-PF-VB)**- **详细参数说明 (Detailed Specifications):** - 封装
2024-03-12 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号
**VB1102M N-Channel MOSFET (AFN2330S23RG-VB)**- **详细参数说明 (Detailed Specifications):** - 封装
2024-03-11 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
**VBsemi N+P-Channel MOSFET SPC6605ST6RG-VB**- **丝印：** VB5222- **品牌：** VBsemi- **参数：** - 2个N+P
2024-06-14 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号
MTC8958G6-VB 是 VBsemi 公司生产的双通道 N+P-Channel 沟道功率场效应晶体管，具有以下参数：- 最大漏极-源极电压：±20V- 最大漏极电流：7A（N-Channel
2024-06-11 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
