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型号：<b class='flag-s-7'>A5</b> 品牌：

A5 级联放大器A5 射频放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。TO-8 和表面贴装

2023-03-30 16:32 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：32<b class='flag-s-7'>K</b>-6 品牌：

32K高可靠性固定同轴衰减器（2.92mm，2 W，DC-40 GHz）是一种高性能的射频衰减器，以下是其详细信息：### 技术参数- **频率范围**：DC-40 GHz。- **平均功率**：2

2025-05-27 14:58 深圳市立维创展科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>55D-VB 品牌：微碧

### K5A55D-VB 产品简介K5A55D-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的高耐压特性和30V的栅源电压范围。它的阈值电压（Vth）为3.5V

2025-09-12 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>60-VB 品牌：微碧

### K5A60-VB MOSFET 产品简介：K5A60-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和中等电流的应用设计。其最大漏源电压（VDS）为

2025-09-12 16:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>50D-VB 品牌：微碧

### 一、K5A50D-VB MOSFET 产品简介K5A50D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计，具有650V的漏源电压（VDS）。该器件

2025-09-12 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>65DA-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介K5A65DA-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高电压和中等电流应用。该器件的漏源极电压 (VDS) 高达 650V，栅极电压范围为

2025-09-12 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>5D471K</b> 品牌：

贴片压敏电阻这款产品为5D471K压敏电阻，虽然是压敏电阻，但和我们传统的蓝色插件压敏电阻又有一些区别，这个为纽扣状的，高焦耳型，可以替代传统的插件压敏电阻。它有什么优点呢？和传统插件压敏电阻需要

2022-07-21 17:41 科雅电子 企业号

型号：SJ<b class='flag-s-7'>5-K</b>-N 品牌：

参数表节选：的技术参数  SJ5-K-N通用规格开关功能常闭 (NC)输出类型NAMUR槽宽5 mm浸入深度（横向）8 ... 10 mm ，类型 9 mm输出类型2 线额定值额定电压

2022-10-18 13:11 上海冠宁科技发展有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>45DA-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介K5A45DA-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用 TO220F 封装，专为需要高电压应用场合设计。该器件的漏源极电压 (VDS) 高达 650V，栅极电压范围为

2025-09-12 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A</b>65D-VB 品牌：微碧

### K5A65D-VB MOSFET 产品简介：**K5A65D-VB** 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高压开关应用而设计，适用于高效的功率管理系统。它的**漏源

2025-09-12 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号