### 产品简介详**AF1333PUL-VB MOSFET**AF1333PUL-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SC70-3封装，适用于负电压场合的功率开关控制。采用Trench（沟槽）技术
2024-11-27 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介AP1333GU-VB 是一款由 VBsemi 生产的单个 P 沟道 MOSFET，采用 SC70-3 封装。该产品具有负漏源电压（VDS = -20V）和低导通电阻，适合于低压
2024-12-16 15:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### AF1333PULA-VB MOSFET 产品简介AF1333PULA-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 SC70-3 封装。它支持最大 -20V 的漏源电压 (VDS
2024-11-27 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：1333U-VB 是一款单P沟道场效应管（MOSFET），具有-20V的漏极-源极电压（VDS），12V的栅极-源极电压（VGS，±V），-0.6V的阈值电压（Vth），100m
2024-07-05 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：1333GU-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，具有-20V的漏极-源极电压（VDS）、12V的栅极-源极电压（VGS）、-0.6V的阈值电压（Vth
2024-07-05 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AF1333PU-VB 产品简介AF1333PU-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用SC70-3封装，适用于要求小型化和低功耗的电路设计。该器件采用Trench技术，具有良好的导
2024-11-27 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AF1333PUA-VB** 是一款由 VBsemi 公司生产的单 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 SC70-3 封装。该型号的 MOSFET 具有
2024-11-27 15:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP1333U-VB 是一款高性能的单 P-沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，封装形式为 SC70-3。它具有低导通电阻和高效能特性，适合需要小尺寸和高性能
2024-12-16 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AF1333P-VB是一款单P沟道MOSFET，采用SC70-3封装。该器件适用于负电压应用场景，具有低导通电阻和适中的电流承载能力，适合于需要负电压控制和高效能转换的电子设备
2024-11-27 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
QPC7338108 - 1794 MHz 电缆补偿电压可变均衡器QPC7338 关键性能108 – 1794 MHz 工作带宽电缆补偿响应斜率17 dB 斜率范围低插入损耗高线性度适用于 CATV
2024-03-22 00:10 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
