电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>A11</b> 品牌：

A11 级联放大器A11 射频放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。TO-8 和表面贴

2023-03-16 14:28 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：FS68001<b class='flag-s-7'>A</b> 品牌：泛海微

FS68001A简易无线充电发射端控制芯片是一款兼容WPC Qi v1.2.4标准并支持A11协议的无线充电发射端控制芯片。它的出现为无线充电领域带来了更多的可能性和便

2024-03-07 20:30 泛海微电子 企业号

型号：B<b class='flag-s-7'>11NM</b>60-VB 品牌：微碧

### 产品简介B11NM60-VB 是一款高效单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术，具备低导通电阻和大电流处理能力，特别适用于高电压开关和功率控制

2025-01-07 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HTS <b class='flag-s-7'>A11</b> F5.5 品牌：

深圳市龙享科技有限公司是提供从产品研发方案，一站式配单服务的高科技电子公司。公司经营以市场为导向，主要服务医疗健康电子，新能源，5G，汽车电子，大数据，工业应用，人工智能，AI机器人，环境监测等符合未来产业发方向的公司。并提供航天航空，冷偏门，紧缺，停产产品等高端IC全球货源供应的服务商。主营品牌：Heimann德国海曼 Infineon英飞凌 ST意法半导

2022-08-26 16:08 深圳市龙享科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介**型号：11NM60ND-VB TO252**VBsemi的11NM60ND-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用先进的SJ_Multi-EPI技术设计，具有低导通电阻和高

2024-07-05 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO251 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有高达650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件

2024-07-05 15:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>50N-VB TO252 品牌：微碧

### 产品简介：11NM50N-VB TO252是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3.5V的阈值电压（Vth）、370m

2024-07-05 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO220F 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO220F 产品简介11NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压

2024-07-05 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>65N-VB TO252 品牌：微碧

### 11NM65N-VB TO252 产品简介**产品概述**：11NM65N-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，具有低导通电阻和高电压承受能力

2024-07-05 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>11NM</b>60ND-VB TO220F 品牌：微碧

## 产品简介：VBsemi的MOSFET产品11NM60ND-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和12A的漏极电流（ID）能力。该产品

2024-07-05 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号