NDC631N-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,丝印标识为VB7322。该器件采用SOT23-6封装,具有30V的漏极-源极电压承受能力,6A的漏极电流承受能力,以及RDS(ON)为30m
2024-06-11 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET®系列基准电压源,具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入
2023-06-25 15:26 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
1.概述W631GG6KB是一个1G位DDR3 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚(DDR3-1866)的高速传输速率,适用于
2024-03-28 14:53 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GG6LB是1G位DDR3 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达1866 Mb/sec/引脚(DDR3-1866)的高速传输速率,适用于各种
2024-03-28 10:48 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GG6MB是1G位DDR3 SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该设备实现了高达2133 MT/s(DDR3-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该设备
2024-03-27 18:08 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6NB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-27 18:25 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
1.概述W631GU6MB是1G位DDR3L SDRAM,组织为8388608个字 8个银行 16位。该器件实现了高达2133 MT/s(DDR3L-2133)的高速传输速率,适用于各种应用。该
2024-03-28 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
HMC433(E)是一款低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用超小型表面贴装SOT26塑料封装。 此器件在DC(使用方波输入)至8 GHz的输入频率下工作,使用+3V
2023-02-09 11:29 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号