概述4410结合了先进的沟槽MOSFET技术和一个低电阻包，以提供极低的RDS(ON)。该设备是理想的负载开关和电池保护应用。
2022-06-06 15:46 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
LTC®4410 可在符合 USB 1.0 和 2.0 标准的便携式设备连接至一个 USB 端口的情况下同时实现其电池充电和运作。当 USB 外设负载增加时，LTC4410 成比例地减小电池充电电流
2023-03-29 14:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介AUIRFB4410-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO220。采用先进的沟槽（Trench）技术，这款MOSFET 提供了卓越的导通性能和高电流处理能力
2025-01-04 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUFS4410Z-VB MOSFET 产品简介AUFS4410Z-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 TO263 封装设计。它具有强大的电气特性，适用于高电压和高电流
2025-01-03 11:27 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 AO4410丝印 VBA1303品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 30V 最大电流 18A 导通电阻 5mΩ@10V, 6.5mΩ@4.5V 门源
2023-11-02 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
详细参数说明：- 型号: IRFS4410PBF-VB- 丝印: VBL1101N- 品牌: VBsemi- 封装: TO263- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 100V- 额定电流
2024-02-03 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：4410-VB丝印：VBA1311品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大持续电流：12A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15m
2023-12-20 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
v### 一、AUFB4410-VB 产品简介AUFB4410-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，基于Trench技术制造。该MOSFET 设计用于高电压和高电流应用，能够
2025-01-02 17:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### AUFSL4410Z-VB MOSFET 产品简介AUFSL4410Z-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，专为高电流和高电压应用设计。该器件采用 TO262 封装，具有高达
2025-01-03 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AUIRFSL4410Z-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装为TO262。采用Trench技术，具有极低的导通电阻和高电流处理能力，适合在需要高效能和高电流
2025-01-06 11:38 微碧半导体VBsemi 企业号
