上海伯东客户某***生产商, 生产的电子束*** Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件
2023-06-02 15:49 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子
2023-05-25 10:18 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 考夫曼离子源 KDC 系列, 通过加热灯丝产生电子, 是典型的考夫曼型离子源, 离子源增强设计输出低电流高能量宽束型离子束, 通过同时的或连续的离子轰击表面使原子(分子)沉积
2023-05-25 10:22 伯东企业（上海）有限公司 企业号
实验名称：高压放大器在电子束增材制造聚焦消像散控制技术研究的应用 研究方向：增材制造 实验目的： 电子束选区熔化技术，即电子束3D打印技术，属于金属增材制造的分支。该技术以电子
2024-07-10 18:11 Aigtek安泰电子 企业号
泊苏 Type C 系列防震基座在半导体光刻加工电子束光刻设备的应用案例-江苏泊苏系统集成有限公司一、企业背景与光刻加工电子束光刻设备挑战某大型半导体制造企业专注于高端芯片的研发与生产
2025-01-07 15:13 江苏泊苏系统集成有限公司 企业号
成特定的图形才能用于芯片, 因 LiNbO3 惰性特性, 使用 ICP 或 RIE 工艺无法完成刻蚀, 上海伯东 IBE 离子束刻蚀机为铌酸锂 LiNbO3 薄膜
2024-09-13 10:59 伯东企业（上海）有限公司 企业号
上海伯东美国 KRi 霍尔离子源辅助镀膜 IBAD 应用上海伯东美国 KRi 霍尔离子源 EH 系列, 提供高电流低能量宽束型离子束, KRi 霍尔离子源可以以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种
2023-05-11 13:26 伯东企业（上海）有限公司 企业号
前 言：本文基于以太网接口在工业场合的大量使用，特别是工业控制、仪器仪表等领域，结合Xilinx Zynq-7000所具备的丰富设计资源（在单芯片内集成了双核ARM Cortex A9
2021-10-22 09:51 Tronlong创龙科技 企业号
车载终端方案采用了联发科的高效能低功耗ARM处理器，具备八核架构，主频达到2.0GHz，制造工艺为12nm，确保了显著降低的能耗。系统标配4GB内存和64GB存储(可选配6GB内存和128GB存储)，配有一个可扩展至128GB的TF卡槽，使得储存空间灵活多样，并且运行Android 11.0操作系统，可以轻松应对各种应用需求。此外，终端支持4G全网通、蓝
2024-12-16 20:20 深圳市智物通讯科技有限公司 企业号
