### AP02N60P-VB 产品简介AP02N60P-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO220 封装，由 VBsemi 公司生产。该器件适用于高压
2024-12-13 11:51 微碧半导体VBsemi 企业号
=±1.9V封装：SOP8说明：AP4563GM-VB是一款高性能的N+P-Channel功率MOSFET，适用于广泛的应用场合。具有±
2024-03-14 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP10N60W-VB MOSFET 产品概述AP10N60W-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO3P 封装，设计用于高压和高功率应用场合。具有
2024-12-16 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: AP4531GM-VB 丝印: VBA5638 品牌: VBsemi 参数: N+P—Channel沟道,±60V；6.5
2024-03-14 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP02N60P-A-HF-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用平面（Plannar）技术，具有高达650V的漏极-源极电压承受能力和适中的电流能力。其TO220封装结构提供了
2024-12-13 11:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP60N03P-VB 是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO220封装。它适用于需要高电流和低导通电阻的功率开关和电源管理应用，结合了先进的沟槽技术，提供了可靠的性能和高效率
2024-12-20 17:17 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP01N60P-VB 是一款单路 N 沟道场效应管（N-Channel MOSFET），采用了平面（Plannar）技术。该器件设计用于需要高电压承受能力和低导通电流的应用场
2024-12-13 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: AP4578M-VB品牌: VBsemi丝印: VBA5638参数:- 沟道类型: N+P-Channel- 最大电压: ±60V- 最大电流: 6.5A
2024-03-14 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AP02N60P-HF-VB** 是一款采用TO220封装的单N沟道MOSFET。该器件设计用于处理高达650V的漏极-源极电压（VDS），并支持最大2A的漏极电流（ID
2024-12-13 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: AP4523GM-VB丝印: VBA5638品牌: VBsemi参数:- MOS管类型: N+P—Channel沟道- 最大耐压: ±60V- 最大电流: 6.5
2024-03-14 14:44 微碧半导体VBsemi 企业号
