### 产品简介VBsemi的15P10PL-VB是一款高性能单P沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于负电压控制和电源开关应用。该器件采用TO252封装,具有-100
2024-07-06 17:48 微碧半导体VBsemi 企业号
逆变器、电池管理等。### 15P10P-VB 详细参数说明- **包装**: TO252- **构型**: 单 P 沟道- **漏极-源极电压 (VDS)**:
2024-07-06 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 15P10-VB 产品简介15P10-VB 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,具有 -100V 的漏极-源极电压(VDS),20
2024-07-06 17:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP13P15GH-VB MOSFET 产品简介AP13P15GH-VB是一款先进的单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装类型为TO252。
2024-12-16 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP13P15GH-HF-VB 是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO-252封装。此器件基于Trench技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,非常适用于各种开关应用。其主要
2024-12-16 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介13P15GH-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET,采用沟道(Trench)技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻,适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路。### 参数
2024-07-06 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:IPD50P04P4-13-VB丝印:VBE2412品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-40V- 最大连续漏极电流:-65A- 静态漏极-
2023-12-14 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP15P10GH-VB 是一款单P沟道功率MOSFET,采用TO-252封装。该器件基于Trench技术,具有适中的漏源电压和较低的导通电阻,适用于需要高效能和可靠性的应用。具体
2024-12-16 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号