作为即将到来的“超越摩尔”时代最重要的技术之一，神经形态计算在很大程度上取决于突触器件的发展。本文利用硼（B）掺杂硅纳米晶体（Si NCs）的强宽带光吸收和二维（2D）WSe2的高效电荷传输的协同作用，制备了基于Si NCs和
2022-11-02 15:10
从图2中可以看出器件是先制备电极（沟道长宽为10/120 μm），再转移2D WSe2和Si NCs，作者这样做的原因可能是增加光照面积，提升光响应的灵敏度。在器件性能的测试部分，复合材料TFT的阈值电压发生了左移（
2022-11-02 14:43
近年来，二维层状材料因其出色的电学和机械性能，在柔性和可穿戴集成器件领域引起了广泛关注。特别是，各种二维材料的单晶纳米片可以分散在溶液中，形成n型和p型的半导体油墨，进而通过高可加工性和低成本的图形印刷技术实现互补电路。
2022-12-05 11:18
二维过渡金属二硫族化物材料因其丰富的元素组成及特别的电子结构，展现出独特的物理、化学性质，在光电子器件、催化、能源转换与存储等众多领域都有着巨大的应用前景。
2020-12-25 21:44
台积电的几个不同小组一直在从不同角度研究WSe2传导和掺杂。一组使用氧等离子体将WSe2半导体单层转化为Ox。该过程是自限性的，不影响底层的WSe2材料，最终的掺杂水平取决于起始材料中的层间耦合。
2023-02-23 10:02
在三明治状结构中，WSe2单元中的W原子与六个相邻的Se原子形成扭曲的八面体，使Se原子层弯曲。ABA序列中的范德华层叠最终构成了观察到的1T相晶体结构。
2022-11-23 09:27
进一步计算发现，该策略对于其他过渡金属硫族化合物半导体（如WS2、MoSe2、WSe2）具有普适性。在实验上，团队发展出高温蒸镀工艺在MoS2上实现了Sb(0112)薄
2023-01-13 11:28
近日，新加坡南洋理工大学高炜博教授与中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室张俊研究员合作，利用施主-受主对(DAP)模型解释了二维MoS2/WSe2莫尔异质结中密集且尖锐的局域层间激子(IX)发射现象，并建立了DAP IX的动力学模型，很好地解释了层间激
2023-09-25 10:14
图1. CdSb2Se3Br2/WSe2异质结实现可重构的高PR值偏振光探测器 近日，《先进材料》(Advanced Materials)期刊在线刊发了华中科技大学材料学院翟天佑教授和周兴教授团队
2024-08-08 06:28
成像及多光谱探测等方向发展。新型低维材料（零维量子点、一维纳米线和二维层状材料等）先天性特殊的结构和优异的物理性质被认为是下一代电子和光电子器件的潜力材料，例如：近几年二硒化钨（WSe2）、黑磷（BP
2022-11-01 17:10
