### 一、42DN20N-VB 产品简介42DN20N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装。该产品具有250
2024-11-08 14:08 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 X3C70F1-20S 是一款定向耦合器,频率为 5.5 至 8.5 GHz,耦合 20 dB,耦合变化 ±1.5 dB,方向性 18 dB,平均功率 20 W
2023-08-16 10:34 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**型号:22DN20NS3-VB**VBsemi的22DN20NS3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造。它具有200V的漏源电压、30
2024-07-09 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、22DN20N-VB 产品简介22DN20N-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装形式为DFN8(3X3),采用了Trench技术,具有中压(200
2024-07-09 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
## 产品简介:VBsemi的MOSFET产品12DN20NS3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用了Trench技术,具有200V的漏极-源极电压(VDS)和30A的漏极电流(ID)能力。该产品
2024-07-05 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:SI7617DN-VB丝印:VBQF2309品牌:VBsemi参数:- 封装:DFN8(3X3)- 沟道类型:P—Channel沟道- 额定电压:-30
2024-01-02 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号
A70-3可级联、低噪声、Hi Dyn RgeA70-3 射频放大器采用分立式混合设计,采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。这种单级双极晶体管反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻
2023-03-15 17:19 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
阻(RDS(ON))在VGS=10V时为85mΩ,具有9.3A的漏极电流(ID)和3V的阈值电压(Vth)。### 参数说明- **型号**: 12DN20N-V
2024-07-05 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、8N70L-TA3-T-VB 产品简介8N70L-TA3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术,封装为TO220。它具有高达700V的耐压能力和5
2024-11-22 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号