KR905P代替WPM1481，FDMA905P----封装DFN2X2-6L，P沟道。 相关参数： VDS = -12VVGS=±8，ID = -15A RDS(ON)
2017-03-23 09:14
说明WPM3401是P通道逻辑增强使用模式电源场效应晶体管高单元密度，DMOS沟槽技术。这么高密度过程特别适合于最小化耐受状态。 这些设备特别适合适用于低压应用，笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路
2021-12-31 08:23
描述单P沟道，-30 V，-4.4A，功率MOSFETWPM3407采用先进的沟槽技术提供 具有低栅极电荷的出色RDS（ON）。 该设备适用于用于DC-DC转换应用。 标准产品WPM3407是无铅
2021-11-17 06:41
概述：MSP430F1481IRTD是美国德州仪器（简称TI）公司出品的一款单片机，MSP430系列单片机最显著的特点就是它的超低功耗。在1.8-3.6V电压、1MHz的时钟条件下运行。
2021-04-07 06:04
P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：4.3A 功率(Pd)：1.4W
2023-03-27 11:55
WPM3021-8/TR
2023-03-28 18:07
WPM6207-3/TR
2023-03-29 16:26
2SD1481 - SILICON POWER TRANSISTOR - NEC
2022-11-04 17:22
OC-AT-S-FM-070F-752-116-1481
2024-08-01 22:09
X9316WPM3 - E 2 POT™ Nonvolatile Digital Potentiometer - Xicor Inc.
2022-11-04 17:22
