VDSR32M32xS68xx8V12 user manual
2022-06-08 15:00
VDSR32M322xS68XX8V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6晶体管
2022-06-08 14:24
VDSR8M32XS64XX2V12是一种高速、高度集成的静态随机存取存储器，包含8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。每个银行都有16位接口，并通过特定的#CS。它特别适用于高可靠性、高性能和高密度系统应用程序，如固态质量记录器、服务器或工作站。
2022-06-08 11:55
VDSR32M322XS68XX8V12-II是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含33554332位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠八个采用CMOS工艺（6
2022-06-08 14:27
VDSR8M16XS54XX2V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM芯片采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为两个256K×的独立区块16位宽数据接口。
2022-06-08 11:53
VDSR16M16XS54XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器。该SIP模块采用VDIC非常密集的SIP技术制造，可堆叠四个4-Mbit SRAM组采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）。它被组织为四个256K x的独立块16位宽数据接口。
2022-06-08 14:17
VDSR8M16XS54XX2C12是一款高速、高度集成的产品。静态随机存取存储器8.388.608位。它由两个4Mbit的银行组成。
2022-06-08 11:48
VDSR16M32XS64XX4V12是一种高速存取时间、高密度静态随机存取存储器包含16777216位。该SiP模块采用VDIC非常密集的SiP技术制造，可堆叠四个采用CMOS工艺（6晶体管存储单元）的4-Mbit SRAM芯片。它分为两部分512K x 32位宽数据接口的独立块。
2022-06-08 14:20
VDEE8M08xS40xx8V250 user manual
2022-06-07 16:09
VDMR8M32XS68XX8V35是一款8×1048576位高速访问时间、高密度磁阻随机存取存储器。采用VDIC高密度SiP制造技术，该模具堆叠八个1-Mbit MRAM模具。它由八个128K的独立模具组成8比特宽
2022-06-08 10:25
