VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率MOSFET（Metal Oxide
2024-09-29 09:50
场效应晶体管）是一种基于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）结构的功率晶体管。它具有较宽的通道和漏极区域，能够承受更大的电流和功率，并具备电压阻断功能。以下是VDMOS器件的具体应用： 一、电子设备
2024-09-29 09:43
VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体
2024-09-29 09:47
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好
2011-12-02 10:45
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdm
2024-09-29 09:49
如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。
2024-10-08 17:16
平面型VDMOS和超结型VDMOS的雪崩耐量有何差异以及如何选择？ 平面型VDMOS和超结型VDMOS是常见的金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)的不同设计类型。
2023-11-24 14:15
目前市场上使用较多的主要是N沟道增强型VDMOS产品，其也是目前各半导体公司开发生产的主流功率MOSFET产品。
2011-12-02 10:38
基于Arrhenius模型快速评价功率VDMOS可靠性 0 引言 垂直导电双扩散场（VDMOS）效应晶体管是新一代集成化半导体电力器件的代表［1］。与功
2009-11-07 10:39
