超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdm
2024-09-29 09:49
如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。
2024-10-08 17:16
在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）。
2024-10-15 14:50
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。 安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)二极管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC门极驱动器。 除了硬件以外，我们还提供spice物理模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能，缩短昂贵的测试
2020-05-28 09:58
如果电子元器件工作时，其内部没有任何形式的电源，则这种器件叫做无源器件。如果电子元器件工作时，其内部有电源存在，则这种器件
2016-10-27 11:30
本文开始介绍了什么是微波器件以及微波器件的分类，其次介绍了微波器件的作用，最后介绍了微波器件的应用及微波开关在微波无源器件
2018-02-08 16:44
的电压一般在550V左右，变频器辅助电源一般是反激设计，一般需要功率器件留有1.5-2.5倍的余量，以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V，故需要应用到1500V耐压的MOS管。光伏逆变器辅助
2023-10-16 11:38
在设计PCB的过程中，有些元器件是设计者经常用到的，比如电阻、电容以及三端稳压源等。在Protel 99 SE中，同一种元器件虽然相同电气特性，但是由于应用的场合不同而导致元器件的封装存在一些差异
2018-04-25 08:47
本文主要介绍了有源器件有哪些_二极管是有源器件吗_有源器件范围。有源器件，亦称被动元件，是一种工作时其内部有电源存在的电子元件。有源
2018-03-12 17:17
