VDMOS（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件，属于功率MOSFET（Metal Oxide
2024-09-29 09:50
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点，无论是开关应用还是线形应用，VDMOS都是理想的功率器件，VDMOS主要
2011-12-01 14:09
场效应晶体管）是一种基于MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）结构的功率晶体管。它具有较宽的通道和漏极区域，能够承受更大的电流和功率，并具备电压阻断功能。以下是VDMOS器件的具体应用： 一、电子设备
2024-09-29 09:43
功率VDMOS 器件的工作条件通常恶劣，因此其可靠性研究格外重要。本文总结了目前众多VDMOS 器件可靠性研究的结果，着重讨论了功率
2011-12-16 15:28
VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美国IR 公司推出VDMOS 结构，将器件耐压、导通电阻和电流处理能力提高到一个新水平。功率
2009-12-21 10:52
VDMOS（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，垂直双扩散金属氧化物半导体
2024-09-29 09:47
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
详细论述了器件制造过程中的关键工艺环节，包括栅氧化、光刻套准、多晶硅刻蚀、P 阱推进等。流水所得VDMOS 实测结果表明，该器件反向击穿特性良好
2011-12-02 10:45
Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdm
2024-09-29 09:49
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