Vdmos（垂直双扩散金属氧化物半导体）和MOS（金属氧化物半导体）是两种不同类型的半导体器件，它们在结构、工作原理、应用等方面都有所区别。 1. 结构差异 Vdmos Vdmos是一种垂直结构
2024-09-29 09:49
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
在过去的二十年间，MOSFET作为开关器件发展迅速。然而，由于MOSFET的通态功耗较高，导通电阻受击穿电压限制而存在一个极限，被称为“硅极限”。为了突破这一限制，研发人员便引入了一种新型的半导体工艺——垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）。
2024-10-15 14:50
如图1所示，VDMOS结构就是P型注入和N+注入后两次扩散形成P型区和N+型区，在硅表面P型区和N+型区之间形成沟道，在栅极加压后沟道开启，电流在沟道内沿表面流动，然后垂直地被漏极收集，图中S为源极，D为漏极，G为栅极。
2024-10-08 17:16
瓷介电容器又称陶瓷电容器，它以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜（一般为银）经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂及酣自主树脂包封，即成为瓷介电容器。
2019-11-14 10:10
多层片状陶介电容器由陶瓷介质、外部端电极、内部金属电极三种材料构成，失效形式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力（如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下）和温度冲击（如烙铁焊接）时电容时好时坏。
2018-09-06 17:19
共轭聚合物具有固有的离域电子、丰富的结构组成和可调的官能团，从而在催化、储能、气体敏感传感器以及生物医学等领域引起了人们的极大关注。通过构建具有有序介孔的纳米结构可以赋予它们在大表面积，丰富的极性官能团，可调的孔径和独特的介观/纳米结构方面的优势，从而提高其在不同
2022-09-19 15:15
电容器介电材质的选型讲解;贴片电容的物料描述里出现X7R、NP0或C0G，有些工程师选择忽略这些描述，这是不对的.
2022-06-13 09:56
电容器的关键参数是其介电吸收（DA）。如果您想估算电容器的质量或识别其电介质类型，则只需测量其DA。这种简单的电路可以帮助避免选择具有适当DA的电容器所耗费的标准程序。它甚至可以很容易地区分聚丙烯（PP）电容器和聚苯乙烯（PS）电容器，它们的DA值很接近，而无需拆开盖子即可查看其中的电介质。
2021-06-06 16:18
2类瓷介电容器根据旁路、滤波等用途优先推荐E3,最多E6系列，设计师选用101、102、103、104、105、106等代码的电容器最多。
2023-01-31 10:17
