### 65F6190-VB MOSFET 产品简介65F6190-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。由VBsemi采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有高电压承载能力
2024-11-16 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
### 25N10F7-VB 产品简介25N10F7-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用了 TO220F 封装。它适用于要求较高电压和电流的应用,具有优异的导通电阻和漏极电流能力
2024-07-10 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 100N10F7-VB 产品简介:100N10F7-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO220F。该器件具有 100V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极
2024-07-04 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP2761F-VB 产品简介AP2761F-VB 是一种高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,具备出色的电气性能和可靠性。该型号的设计旨在满足高效电源管理应用中的需求
2024-12-17 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### VBsemi 2761F-VB MOSFET 产品概述VBsemi 2761F-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于需要高效能功率开关
2024-07-11 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65F6420-VB** 是一款高压单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。该器件采用Plannar技术,具有稳定的性能和可靠的电气特性,适用于各种需要高电压和高功率
2024-11-16 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**65F660-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装,适合中高电压和中功率应用。该器件利用SJ_Multi-EPI技术,具备优异的导通特性和热管
2024-11-16 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、65F6193-VB产品简介65F6193-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压应用场合。该器件具有650V的漏源电压和20A的最大漏极电流,采用
2024-11-16 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET,采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压(VDS),能够在低电压环境中操作。其栅极
2024-07-05 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号