VBsemi FDN361BN-NL-VB 参数:- 封装:SOT23- 类型:N-通道MOSFET- 漏极-源极电压(Vds):30V- 连续漏极电流(Id):6.5A- 导通电阻(RDS
2024-03-19 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
特点⚫ HC32L130/HC32L136 系列具有灵活的功耗管 理系统,超低功耗性能 – 0.5μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟关闭, 上电复位有效,IO 状态保持,IO 中断有效, 所有寄存器、RAM 和 CPU 数据保存状态 时的功耗 – 0.9μA @3V 深度休眠模式+ RTC 工作 – 7μA@32.768kHz 低速工作模式:CPU 和外
2024-06-20 11:57 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
深圳市港禾科技有限公司所上传的产品图片均为实物拍摄。 1SS361UDJ-7 由于电子元器件价格因市场浮动,网站展示价格仅为参考价,不能作为最后成交价
2022-07-11 17:54 深圳市港禾科技有限公司 企业号
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2022-07-11 17:51 深圳市港禾科技有限公司 企业号
1. 产品简介:2SJ361-VB 是 VBsemi 品牌推出的 P-Channel 沟道场效应晶体管。该器件的丝印为 VBI2338,封装采用 SOT89-3。它具有以下主要特性:工作电压为
2024-05-20 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
**详细参数:**- 丝印: VB1330- 品牌: VBsemi- 封装: SOT23- 类型: N-Channel 沟道- 额定电压(VDS): 30V- 额定电流(ID): 6.5A- 静态漏
2024-03-19 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
ADuCM361是一款完全集成式4 kSPS、24位数据采集系统,在单芯片上集成高性能多通道Σ-Δ型模数转换器(ADC)、32位ARM Cortex M3® MCU和Flash/EE存储器
2023-07-17 14:41 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
采样至135 MHz 功耗:84 mW(3 V电源) 断电(睡眠)模式:10μW +2.7 V和+5.5 V电源之间的操作 绿色,28铅TSSOP包装
2024-07-09 15:09 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号