电子发烧友

近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品

2024-03-16 10:48

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；

2024-03-15 14:26

全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN

2024-01-18 14:12

TRENCHSTOP IGBT7器件具有优异的可控性和卓越的抗电磁干扰性能。它很容易通过调整来达到特定于应用的最佳dv/dt和开关损耗。

2020-09-29 11:43

英飞凌通过改善IGBT芯片的结构和工艺，大大降低了器件的开关损耗。下图展示了不同技术的分立50AIGBT的开关损耗的比较。图的底部显示了IGBT和二极管技术，以及它们进入市场的年份。图中的开关损耗是在一个开关单元中测量的，并使用具有相同额定电流的器件作为对照。芯片关断损耗大幅下降，器件开通损耗下降举步维艰仔细读上图可以发现，最新的系列中，IGBT的关断能量降

2022-02-11 09:21 英飞凌工业半导体 企业号

TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个

2024-01-19 15:39

和TO247封装之间的区别。 首先，我们来介绍一下HIP247封装。HIP247

2024-03-12 15:34